王广图6: 进一步增强电腐蚀和削弱电沉积过程后沉积结构的形貌演化。
（e）70×70透明纳米纸的OFET阵列的照片和光学显微镜图像以及在弯曲之前，实现期间和之后（半径：1mm）的FET的转移曲线。如何从分子设计出发，开放获取迁移率高、稳定性好的分子材料，成为分子电子学的核心研究课题，也是极富创新性和挑战性的研究课题。
条件（d）转移到SiO2基板上的微米级有机结晶膜的光学显微镜图像。源安图9模板剥离法制备介电/半导体界面的工艺图（a）模板剥离方法的示意图。全创（b）垂直C8-BTBT/并五苯异质结的外延生长。
造更（b）在紫外光下的p型DPA微/纳米晶体的光学显微镜图。多条（b）在去除应变后电极的电特性在三个过程中测量1000个循环：半径为1.5mm（向上）的弯曲。
（e）单晶-单晶顶部化学聚合转化的示意图，王广以获得聚合物晶体。
（3）率先在国内开展了场效应晶体管、实现打印器件、多功能器件的研究，尤其推进了可印刷高性能有机半导体材料的开发及印刷工艺优化研究工作。一方树现代化工厂，开放全套引进国内外先进生产设备与技术，产品工艺精湛，品质卓越。
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